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沉积温度对碳膜结构及其场发射特性的影响
引用本文:高金海,张兰,姚宁,张兵临.沉积温度对碳膜结构及其场发射特性的影响[J].真空电子技术,2007(6):59-61.
作者姓名:高金海  张兰  姚宁  张兵临
作者单位:1. 郑州大学物理工程学院,河南,郑州,450002
2. 郑州大学工程力学学院,河南,郑州,450002
摘    要:利用微波等离子体化学气相沉积法在覆盖金属钛层的陶瓷衬底上,利用改变衬底温度方法沉积不同结构的碳膜。通过扫描电子显微镜、拉曼光谱对碳膜进行了分析测试,并研究了不同衬底温度下沉积的碳膜的场致电子发射特性。对于在衬底温度800℃时制备的碳膜,在电场3.3 V/μm时,最大场发射电流密度达1 mA/cm2。

关 键 词:微波等离子体化学气相沉积  场致电子发射  金刚石聚晶
文章编号:1002-8935(2007)06-0059-03
收稿时间:2007-05-31
修稿时间:2007-07-06

The Effects of the Growth Temperature of Carbon Films on Its Structure and Field Emission Properties
GAO Jin-hai,ZHANG Lan,YAO Ning,ZHANG Bing-lin.The Effects of the Growth Temperature of Carbon Films on Its Structure and Field Emission Properties[J].Vacuum Electronics,2007(6):59-61.
Authors:GAO Jin-hai  ZHANG Lan  YAO Ning  ZHANG Bing-lin
Abstract:
Keywords:Microwave plasma chemical vapor deposition  Field emission  Diamond microcrystalline-aggregate
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