| MBE梯度掺杂GaAs光电阴极激活实验研究 |
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| 引用本文： | 邹继军,常本康,杜晓晴. MBE梯度掺杂GaAs光电阴极激活实验研究[J]. 真空科学与技术学报, 2005, 25(6): 401-404 |
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| 作者姓名： | 邹继军 常本康 杜晓晴 |
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| 作者单位： | 1. 南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京,210094;华东理工学院电子工程系,江西,抚州,344000
2. 南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京,210094 |
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| 摘 要： | 本文首次利用分子束外延(MBE)生长了多种由体内到表面掺杂浓度由高到低的梯度掺杂反射式GaAs光电阴极材料,并进行了激活实验,结果表明,表面低掺杂浓度适中,外延层厚度2 μm～3 μm以及衬底为重掺杂p型GaAs的梯度掺杂GaAs光电阴极能够获得较高灵敏度.在优化激活工艺的条件下,梯度掺杂GaAs光电阴极获得了1798μA/lm的最高积分灵敏度,比采用同样方法制备的均匀掺杂GaAs光电阴极高30%以上.梯度掺杂GaAs光电阴极表面掺杂浓度较均匀掺杂的低,第一次给Cs时间较长,第一次Cs、O交替时要调整好Cs/O比,并在整个激活过程中保持不变.一个高量子效率梯度掺杂GaAs光电阴极的获得依赖于梯度掺杂结构和激活工艺两个方面的优化.
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| 关 键 词： | 分子束外延 梯度掺杂 GaAs光电阴极 量子效率 激活 |
| 文章编号： | 1672-7126（2005）136-0401-04 |
| 收稿时间： | 2005-04-25 |
| 修稿时间： | 2005-04-25 |
Activation of Gradient Doping GaAs Photocathodes Grown by Molecular Beam Epitaxy |
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| Zou Jijun,Chang Benkang,Du Xiaoqing. Activation of Gradient Doping GaAs Photocathodes Grown by Molecular Beam Epitaxy[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2005, 25(6): 401-404 |
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| Authors: | Zou Jijun Chang Benkang Du Xiaoqing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Molecular beam epitaxy Gradient doping GaAs photocathode Quantum efficiency Activation |
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