双π片上螺旋电感全缩放模型

本文提出了一种新型的片上螺旋电感的双π等效电路模型。引入一个类似MOS模型的层次结构，将全局模型（global model）的几何缩放公式和单管模型（local model）的计算方程严格区分开来。主要的寄生效应，包括趋肤效应，邻近效应，衬底上的感性和容性损耗，以及分布效应，都可在单管模型中由几何和工艺参数计算。由于很难得到准确的版图参数和工艺参数，因此为了修正不精确的版图参数和工艺参数引起的误差，我们在单管模型中加入了一组模型参数。参数缩放公式可以描述各种几何尺寸的电感特性。模型的准确性通过一批具有不同尺寸，基于0.18-μm SiGe BiCMOS工艺的单端电感进行了验证，结果表明在较宽频段内，测试和仿真结果拟合良好。