| 基于非晶态铌酸锌铋薄膜的新型反熔丝器件 |
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| 引用本文： | 王刚,李威,李平,李祖雄,范雪,姜晶. 基于非晶态铌酸锌铋薄膜的新型反熔丝器件[J]. 半导体学报, 2012, 33(8): 084002-4 |
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| 作者姓名： | 王刚 李威 李平 李祖雄 范雪 姜晶 |
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| 基金项目： | 电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金 |
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| 摘 要： | 本文提出了一种基于非晶态铌酸锌铋（a-BZN）介质材料的新型反熔丝器件并对其性能特征进行了研究。考察了a-BZN反熔丝器件的关态特性，选用从上至下的编程方向对反熔丝器件进行击穿，其击穿电压约为6.56V。获得了a-BZN反熔丝器件的关态电阻，约为1GΩ。表征分析了击穿后的a-BZN反熔丝器件的表面形貌。研究了a-BZN反熔丝器件的编程特性以及编程后的开态特性，结果表明a-BZN反熔丝器件所需编程时间约为0.46ms，编程后其开态电阻约为26.1Ω。对比分析了a-BZN反熔丝器件与结晶态铌酸锌铋（cp-BZN）反熔丝器件和栅氧反熔丝器件在性能特征等方面的差异。
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| 关 键 词： | 反熔丝 铌酸 非晶 结构 薄膜 锌 铋 编程时间 |
| 收稿时间： | 2012-02-10 |
A novel antifuse structure based on amorphous bismuth zinc niobate thin films |
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| Wang Gang,Li Wei,Li Ping,Li Zuxiong,Fan Xue and Jiang Jing. A novel antifuse structure based on amorphous bismuth zinc niobate thin films[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2012, 33(8): 084002-4 |
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| Authors: | Wang Gang Li Wei Li Ping Li Zuxiong Fan Xue Jiang Jing |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | amorphous bismuth zinc niobate thin film antifuse comparison |
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