| 一种适用于低压高速嵌入式应用的2T P沟道纳米晶存储器件 |
| |
| 引用本文： | 张君宇,王永,刘璟,张满红,许中广,霍宗亮,刘明. 一种适用于低压高速嵌入式应用的2T P沟道纳米晶存储器件[J]. 半导体学报, 2012, 33(8): 084006-4 |
| |
| 作者姓名： | 张君宇 王永 刘璟 张满红 许中广 霍宗亮 刘明 |
| |
| 基金项目： | 国家基础研究重大项目基金;国家高技术研究发展计划;国家自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 本文基于嵌入式应用的低压、高速要求，提出了一种基于2T结构的P沟道纳米晶存储新型结构。该器件采用带带隧穿激发热电子注入(BTBTIHE)的编程方式，可以同时实现高速、低功耗编程。同时采用2T结构以简化外围高压和读出电路。该器件具有良好的存储特性，包括高编程速度（5us编程脉冲下获得1.1V窗口）和优异的数据保持特性（在10年的保持时间电荷损失仅为20%）。该器件在嵌入式非挥发存储领域具有很强的应用潜力。
|
| 关 键 词： | 应用程序 内存结构 纳米晶体 NVM 嵌入式 P沟道 非易失性存储器 高转速 |
| 修稿时间： | 2012-03-05 |
A novel 2 T P-channel nano-crystal memory for low power/high speed embedded NVM applications |
| |
| Zhang Junyu,Wang Yong,Liu Jing,Zhang Manhong,Xu Zhongguang,Huo Zongliang and Liu Ming. A novel 2 T P-channel nano-crystal memory for low power/high speed embedded NVM applications[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2012, 33(8): 084006-4 |
| |
| Authors: | Zhang Junyu Wang Yong Liu Jing Zhang Manhong Xu Zhongguang Huo Zongliang Liu Ming |
| |
| Affiliation: | Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | P-channel select transistor nano-crystal memory embedded |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
