| 亚微米PD CMOS/SOI工艺及H栅单边体引出研究 |
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| 引用本文： | 李宁,刘存生,孙丽玲,薛智民.亚微米PD CMOS/SOI工艺及H栅单边体引出研究[J].微电子学,2010,40(3). |
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| 作者姓名： | 李宁 刘存生 孙丽玲 薛智民 |
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| 作者单位： | 西安微电子技术研究所,西安,710054 |
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| 摘 要： | 研究开发了0.4 μm PD CMOS/SOI工艺,试制出采用H栅双边体引出的专用电路.对应用中如何克服PD SOI MOSFET器件的浮体效应进行了研究;探讨在抑制浮体效应的同时减少对芯片面积影响的途径,对H栅双边体引出改为单边体引出进行了实验研究.对沟道长度为0.4 μm、0.5 μm、0.6 μm、0.8 μm的H栅PD SOI MOSFET单边体引出器件进行工艺加工及测试,总结出在现有工艺下适合单边体引出方式的MOSFET器件尺寸,并对引起短沟道PMOSFET漏电的因素进行了分析,提出了改善方法;对提高PD CMOS/SOI集成电路的设计密度和改进制造工艺具有一定的指导意义.
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| 关 键 词： | 亚微米工艺 H栅 浮体效应 单边体引出 |
Study on Submicron PD CMOS/SOI Technology and H-Gate Unilateral Body Contact |
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| LI Ning,LIU Cunsheng,SUN Liling,XUE Zhimin.Study on Submicron PD CMOS/SOI Technology and H-Gate Unilateral Body Contact[J].Microelectronics,2010,40(3). |
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| Authors: | LI Ning LIU Cunsheng SUN Liling XUE Zhimin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PD CMOS/SOI |
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