| 平面型2.6μm InGaAs 红外探测器变温特性研究 |
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| 引用本文： | 李永富,唐恒敬,张可峰,李淘,宁锦华,李雪,龚海梅.平面型2.6μm InGaAs 红外探测器变温特性研究[J].激光与红外,2009,39(6):612-617. |
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| 作者姓名： | 李永富 唐恒敬 张可峰 李淘 宁锦华 李雪 龚海梅 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039
2. 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目，中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目 |
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| 摘 要： | 通过闭管扩散方式，在NIN型InP/In0.82Ga0.18As/InP材料上制备了单元及八元平面型红外探测器件，研究了器件的光谱响应特性、变温电流-电压特性以及器件探测率的温度响应特性。研究表明，不同温度下，在较低的偏压下，器件的正向暗电流的主要成分为源于材料缺陷的产生-复合电流，随着电压增大，器件的电流将会受到串联电阻的限制而趋于饱和。在近室温(>250 K)下，器件的反向电流主要以扩散电流和产生-复合电流为主，随着温度降低(<158 K)，与偏压成正比的隧穿电流将占优势。温度>158 K时，器件的R
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| 关 键 词： | InGaAs红外探测器 产生-复合电流 隧穿电流 暗电流 优值因子 峰值探测率 |
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