|
|||||
|
|
| 碳纳米管性能测量实现新突破 | |
| 引用本文： | 王丽英.碳纳米管性能测量实现新突破[J].今日电子,2007(11):31. |
| 作者姓名： | 王丽英 |
| 摘 要： | 在硅芯片晶体管接近其物理性能极限的当今,碳纳米管被认为是未来替代硅芯片原料的最佳候选材料.但是,要将碳纳米晶体管应用于大型集成电路还有很长的路要走,其中,了解纳米管内电子密度的变化对制作更可靠的碳纳米晶体管是一个关键因素.近日,IBM的科学家宣布他们对碳纳米管内的电荷分布进行了测量,并发现其直径小于2nm. |
| 关 键 词： | 碳纳米管 性能测量 new method testing property nanotubes 直径 发现 电荷分布 科学家 因素 制作 变化 电子密度 集成电路 应用 材料 最佳 原料 替代 |
Carbon nanotubes property testing have new method |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |