| CMOS器件实验室总剂量辐照评估方法研究 |
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| 引用本文： | 何宝平,张凤祁,姚志斌,罗尹虹. CMOS器件实验室总剂量辐照评估方法研究[J]. 核电子学与探测技术, 2006, 26(5): 656-660 |
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| 作者姓名： | 何宝平 张凤祁 姚志斌 罗尹虹 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所,陕西西安,710024;西北核技术研究所,陕西西安,710024;西北核技术研究所,陕西西安,710024;西北核技术研究所,陕西西安,710024 |
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| 摘 要： | 主要研究了LH4007RH-CMOS器件与60Co γ射线辐照总剂量、剂量率以及辐照后退火时间和温度的响应关系.试验研究表明,按照美军标1019.4试验步骤,如果器件经0.5～3Gy/s高剂量率辐照后再附加25℃的室温退火,评估氧化物陷阱电荷效应就显得不太保守.对于评估器件空间界面态效应,建议仍使用一星期 100℃的高温退火.
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| 关 键 词： | 退火 辐照评估 总剂量 低剂量率 |
| 文章编号： | 0258-0934(2006)05-0656-04 |
| 修稿时间： | 2005-04-10 |
Test and research on estimating method of total dose irradiation at laboratory environment for CMOS space electronics |
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| HE Bao-ping,ZHANG Feng-qi,YAO Zhi-bin,LUO Yin-hong. Test and research on estimating method of total dose irradiation at laboratory environment for CMOS space electronics[J]. Nuclear Electronics & Detection Technology, 2006, 26(5): 656-660 |
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| Authors: | HE Bao-ping ZHANG Feng-qi YAO Zhi-bin LUO Yin-hong |
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| Keywords: | anneal total dose low dose rate irradiation estimate |
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