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| 氧等离子体对GaNHEMT器件的影响 | |
| 引用本文： | 刘杰,杨兵.氧等离子体对GaNHEMT器件的影响[J].电子世界,2014(7):196-197. |
| 作者姓名： | 刘杰 杨兵 |
| 作者单位： | 北方工业大学信息工程学院 |
| 摘 要： | 研究了不同条件下氧等离子体对GaN器件表面的影响。在合适的条件下,氧等离子体可以使AlGaN表面发生氧化,形成Al2O3薄氧化膜,提高肖特基势垒,从而降低GaN器件的阈值电压,提高器件导通电流。该结果可望用于更高性能AlGaN/GaN HEMT器件制备的应用中。 |
| 关 键 词： | 高电子迁移率晶体管(HEMT) 阈值电压 氧等离子体处理 跨导 |
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