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分类号
杂志ISSN号
氧等离子体对GaNHEMT器件的影响
作者姓名:
刘杰
杨兵
作者单位:
北方工业大学信息工程学院
摘 要:
研究了不同条件下氧等离子体对GaN器件表面的影响。在合适的条件下,氧等离子体可以使AlGaN表面发生氧化,形成Al2O3薄氧化膜,提高肖特基势垒,从而降低GaN器件的阈值电压,提高器件导通电流。该结果可望用于更高性能AlGaN/GaN HEMT器件制备的应用中。
关 键 词:
高电子迁移率晶体管(HEMT)
阈值电压
氧等离子体处理
跨导
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