| 垂直腔半导体光放大器增益的理论分析 |
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| 作者姓名： | 秦张淼 罗斌 潘炜 |
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| 作者单位： | 西南交通大学,信息科学与技术学院,成都,610031;西南交通大学,信息科学与技术学院,成都,610031;西南交通大学,信息科学与技术学院,成都,610031 |
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| 基金项目： | 教育部高等学校博士学科点专项科研基金;国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 针对研究增益饱和时,现有的垂直腔半导体光放大器(VCSOA)速率方程模型在确定输入信号的功率注入因子方面存在难题,根据法布里-珀罗腔边界条件,从行波方程和与位置相关的载流子方程出发,引入随轴向位置发生变化的增益增长因子刻画微腔内的驻波效应,构建出VCSOA的增益模型。利用该模型通过求方程的自洽得到了腔内载流子、光子的分布,并分析了反射增益,其结果与已报道的理论及实验基本一致。
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| 关 键 词： | 激光器 增益 行波方程 垂直腔半导体光放大器 |
| 文章编号： | 1001-3806(2006)05-0452-03 |
| 收稿时间： | 2005-09-30 |
| 修稿时间： | 2006-03-23 |
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