使用双栅MES FET自本振混频器的12GHz接收机 |
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引用本文: | C.Tsironis,康长琦.使用双栅MES FET自本振混频器的12GHz接收机[J].微纳电子技术,1984(1). |
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作者姓名: | C.Tsironis 康长琦 |
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摘 要: | 本文报导的混合集成12GHz接收机电路由两个单栅FET构成前置放大器,一个双栅FET构成振荡器和混频器。电路含有全接收机功能,包括镜频抑制、中频匹配、振荡器稳频和全部FET偏置电路。电路中没有中频放大器。接收机集成在25.4×50.8mm~2氧化铝基片上。在400MHz带宽内变频增益达12~18dB,最佳噪声系数为4.5~5dB。
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