| ZnO薄膜离子注入改性的研究进展 |
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| 引用本文： | 薛书文,梅芳,肖世发,黄子康,莫东.ZnO薄膜离子注入改性的研究进展[J].液晶与显示,2009,24(3). |
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| 作者姓名： | 薛书文 梅芳 肖世发 黄子康 莫东 |
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| 作者单位： | 湛江师范学院,物理系,广东,湛江,524048 |
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| 基金项目： | 湛江师范学院科研项目 |
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| 摘 要： | ZnO是一种在短波长光电器件领域有巨大应用价值的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,离子注入是常用的半导体掺杂技术,文章综述了国内外近年来离子注入技术在ZnO的n、p型掺杂等方面的研究进展.
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| 关 键 词： | 氧化锌 离子注入 掺杂 |
Progress in Ion Beam Modification of ZnO Thin Films |
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| XUE Shu-wen,MEI Fang,XIAO Shi-fa,HUANG Zi-kang,MO Dong.Progress in Ion Beam Modification of ZnO Thin Films[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2009,24(3). |
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| Authors: | XUE Shu-wen MEI Fang XIAO Shi-fa HUANG Zi-kang MO Dong |
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