| 界面对纳米SiC/LAS陶瓷复合材料微波介电性能的影响 |
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| 引用本文： | 罗发,周万城,赵东林,焦桓.界面对纳米SiC/LAS陶瓷复合材料微波介电性能的影响[J].西北工业大学学报,2003,21(2):123-126. |
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| 作者姓名： | 罗发 周万城 赵东林 焦桓 |
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| 作者单位： | 西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072 |
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| 基金项目： | 教育部博士点基金 (19990 6 99)，航空科学基金 (99G5 30 82 ) |
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| 摘 要： | 利用激光诱导法制各的纳米SiC和LAS玻璃粉米，采用热压法制各纳米SiC／LAS陶瓷复合材料，研究了纳米SiC／LAS陶瓷复合材料微波介电性能与纳米SiC含量、烧结温度以及碳界面层的关系。结果表明，在1080℃以下烧结温度对陶瓷致密度的影响较大而对陶瓷复介电常数的影响较小；但在1080℃以上烧结温度对烧结致密度的影响较小，而对陶瓷复介电常数的影响较大，复合材料复介电常数的实测值与计算值之间存在很大的差异。通过计算和分析认为，复合材料制各过程中纳米尺度的SiC促进了碳界面层形成，使得烧结温度对复合材料复介电常数有很大影响。
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| 关 键 词： | 陶瓷复合材料 纳米SiC LAS玻璃陶瓷 复介电常数 碳界面层 |
| 文章编号： | 1000-2758(2003)02-0123-04 |
| 修稿时间： | 2002年2月25日 |
Effect of Interface on the Permittivity of Nanometer SiC/LAS Ceramic Composite |
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| Luo Fa,Zhou Wancheng,Zhao Donglin,Jiao Huan.Effect of Interface on the Permittivity of Nanometer SiC/LAS Ceramic Composite[J].Journal of Northwestern Polytechnical University,2003,21(2):123-126. |
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| Authors: | Luo Fa Zhou Wancheng Zhao Donglin Jiao Huan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nano SiC SiC/LAS ceramic composite permittivity interface |
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