| 高温区Hg_（1－x）Cd_xTe光导器件的温度－电阻关系 |
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| 引用本文： | 桂永胜,蔡毅,郑国珍,褚君浩,郭少令,汤定元. 高温区Hg_（1－x）Cd_xTe光导器件的温度－电阻关系[J]. 红外与毫米波学报, 1996, 15(4) |
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| 作者姓名： | 桂永胜 蔡毅 郑国珍 褚君浩 郭少令 汤定元 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理所红外物理国家实验室 |
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| 摘 要： | 在２００～３００Ｋ范围内测量了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ的电学参数，并推导了载流子浓度、迁移率、电阻和组分的关系表达式，所得结果与红外光谱测量数据符合．利用ＨｇＣｄＴｅ光导器件的电阻－温度特性确定组分，不需要电阻的精确值，是一种判断器件均匀性和性能的有效方法
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| 关 键 词： | 碲镉汞，电阻－温度关系，光导探测器 |
THE RELATIONSHIP BETWEEN RESISTANCE AND TEMPERATURE AT HIGH TEMPERATURE REGION FOR Hg 1- x Cd x Te PHOTOCONDUCTORS |
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| Gui Yongsheng Cai Yi Zheng Guozhen Chu Junhao Guo Shaoling Tang Dingyuan. THE RELATIONSHIP BETWEEN RESISTANCE AND TEMPERATURE AT HIGH TEMPERATURE REGION FOR Hg 1- x Cd x Te PHOTOCONDUCTORS[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 1996, 15(4) |
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| Authors: | Gui Yongsheng Cai Yi Zheng Guozhen Chu Junhao Guo Shaoling Tang Dingyuan |
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| Keywords: | HgCdTe resistance temperature relationship photoconductors. |
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