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| 氢离子敏场效应晶体管温度特性的实验研究 | |
| 引用本文： | 李和太,崔志武,于立新,刘洪.氢离子敏场效应晶体管温度特性的实验研究[J].微处理机,1990(2). |
| 作者姓名： | 李和太 崔志武 于立新 刘洪 |
| 作者单位： | 沈阳工业大学，沈阳工业大学，沈阳工业大学，沈阳工业大学 |
| 摘 要： | 引言氢离子敏场效应晶体管(HISFET)是一种被用来测量溶液中氢离子浓度(pH 值)的新型半导体化学传感元件。它的结构与普通绝缘栅场效应晶体管类似。栅绝缘膜为二氧化硅(SiO_2)和氮化硅(Si_3N_4)双层结构,无金属栅极。用硅平面工艺制作。与一般半 |
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