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溅射功率对磁控溅射ZnO∶Al(ZAO)薄膜性能的影响
引用本文:高立华,郑玉婴. 溅射功率对磁控溅射ZnO∶Al(ZAO)薄膜性能的影响[J]. 功能材料, 2015, 0(8): 8028-8030
作者姓名:高立华  郑玉婴
作者单位:福州大学 材料科学与工程学院,福州,350108
基金项目:福建省自然科学基金资助项目(2012J01016)
摘    要:采用射频磁控溅射工艺,以高密度氧化锌铝陶瓷靶为靶材,衬底温度控制在室温,在玻璃基底上制备了透明导电Zn O∶Al(ZAO)薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见光谱仪和范德堡法,系统研究了不同溅射功率对薄膜的结构、形貌及光电特性的影响。结果表明,不同溅射功率对薄膜的光透射率影响不大,而对薄膜结晶和电学性能影响较大。XRD表明薄膜为良好的c轴择优取向;可见光区(400~600 nm)平均透过率达到85%以上;在120W下沉积的薄膜电学性能达到了最佳。

关 键 词:ZAO 薄膜  溅射功率  方块电阻  透过率

Effects of sputtering power on Al doped ZnO thin films deposited by RF magnetron sputtering
GAO Li-hua , ZHENG Yu-ying. Effects of sputtering power on Al doped ZnO thin films deposited by RF magnetron sputtering[J]. Journal of Functional Materials, 2015, 0(8): 8028-8030
Authors:GAO Li-hua    ZHENG Yu-ying
Affiliation:GAO Li-hua;ZHENG Yu-ying;College of Materials Science and Engineering,Fuzhou University;
Abstract:
Keywords:ZAO thin films  sputtering power  square resistance  transmittance
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