| 各向异性6H-SiC MOSFET击穿的温度特性 |
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| 引用本文： | 刘莉,杨银堂,柴常春. 各向异性6H-SiC MOSFET击穿的温度特性[J]. 固体电子学研究与进展, 2005, 25(1): 47-51 |
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| 作者姓名： | 刘莉 杨银堂 柴常春 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所,西安,710071;西安电子科技大学微电子所,西安,710071;西安电子科技大学微电子所,西安,710071 |
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| 基金项目： | 科技基金(41308060202)、教育部跨世纪人才培养基金资助 |
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| 摘 要： | 分析了不同晶面上温度对 6H-Si C MOSFET击穿特性的影响。以 Si面为例 ,分析了温度对器件的击穿电压、临界电场、比导通电阻等物理量的影响。根据 6H-Si C各向异性的特性 ,采用张量扩展将其扩展到 C面 ,研究表明虽然在不同的晶面上器件的击穿电压不同 ,但其随温度的变化趋势是相同的 ,都具有正温度系数。
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| 关 键 词： | 6H-SiC MOSFET 温度 雪崩击穿 各向异性 |
| 文章编号： | 1000-3819(2005)01-047-05 |
| 修稿时间： | 2003-12-15 |
Temperature Dependence of Breaddown in Anisotropic 6H-SiC MOSFET |
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| LIU Li,Yang Yintang,Chai Changchun. Temperature Dependence of Breaddown in Anisotropic 6H-SiC MOSFET[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2005, 25(1): 47-51 |
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| Authors: | LIU Li Yang Yintang Chai Changchun |
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| Abstract: | Influence of temperature on breakdo wn in anisotropic 6H-SiC MOSFET is studied. Taken Si face for example, influenc e of temperature on the breakdown voltage, critical electrical field and specifi c on-state resistance is thoroughly analyzed. Considering the anisotropy of mat erial, anisotropy of the breakdown is obtained in different face but the tendenc y of breakdown voltage vs. temperature is same, both have positive temperature c oefficient. |
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| Keywords: | H-SiC MOSFET temperature av alanche breakdown anisotropy |
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