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用于RF ID的EEPROM技术及IP设计
引用本文:冀康灵,刘志弘,朱钧,潘立阳,伍冬,肖方兴.用于RF ID的EEPROM技术及IP设计[J].微电子学,2006,36(1):12-15.
作者姓名:冀康灵  刘志弘  朱钧  潘立阳  伍冬  肖方兴
作者单位:清华大学,微电子学研究所,北京,100084
摘    要:设计了一个1 kb EEPROM IP电路,包括1.2μm EEPROM工艺和EEPROM IP电路的设计。通过对电路结构的改进和对电路的优化设计,达到了低压低功耗的要求,并可以在较大的电压范围内工作。采用与CMOS工艺兼容的1.2μm EEPROM工艺进行流片,降低了生产成本,适用于RF ID系统。

关 键 词:RFID  EEPROM  灵敏放大器  电荷泵
文章编号:1004-3365(2006)01-0012-04
收稿时间:2005-04-27
修稿时间:2005-04-272005-07-12

Design of an EEPROM IP for RF ID's
JI Kang-ling,LIU Zhi-hong,ZHU Jun,PAN Li-yang,WU Dong,XIAO Fang-xing.Design of an EEPROM IP for RF ID''''s[J].Microelectronics,2006,36(1):12-15.
Authors:JI Kang-ling  LIU Zhi-hong  ZHU Jun  PAN Li-yang  WU Dong  XIAO Fang-xing
Affiliation:Institute of Microelectronics , Tsinghua University , Beijing 100084, P. R. China
Abstract:
Keywords:RF ID  EEPROM  Sensing amplifier  Charge pump  
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