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Ni离子注入四面体非晶碳(ta-C)膜微观结构研究
引用本文:覃礼钊,廖斌,吴正龙,张旭,刘安东.Ni离子注入四面体非晶碳(ta-C)膜微观结构研究[J].真空,2008,45(5).
作者姓名:覃礼钊  廖斌  吴正龙  张旭  刘安东
摘    要:高内应力是阻碍高性能超硬四面体非晶碳(tetrahedral amorphous carbon,ta-C)膜长厚和广泛应用的主要因素.为降低ta-C膜内应力,本文采用金属蒸汽真空弧(metal vapor vacuum arc,MEVVA)离子源注入技术,注入Ni离子到用磁过滤阴极真空弧(filtered cathodic vacuum arc,FCVA)沉积的ta-C膜中,制备出掺Ni膜(ta-C:Ni膜).用XPS、XRD、Raman谱和SEM表征膜的微观结构.结果显示,膜sp3含量减小,发生了石墨化,石墨颗粒细化;Ni在膜中以单质Ni的形式存在,并且有Ni纳米晶体析出;膜表面均匀分布约10 nm颗粒.对膜在结构上的变化作了讨论.

关 键 词:Ni离子注入  四面体非晶碳(ta-C)膜  MEWA源  微观结构

Microstructural study on tetrahedral amorphous carbon (ta-C) film implanted with Ni ions
QIN Li-zhao,LIAO Bin,WU Zheng-long,ZHANG Xu,LIU An-dong.Microstructural study on tetrahedral amorphous carbon (ta-C) film implanted with Ni ions[J].Vacuum,2008,45(5).
Authors:QIN Li-zhao  LIAO Bin  WU Zheng-long  ZHANG Xu  LIU An-dong
Abstract:
Keywords:
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