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| 双固相外延技术及高性能1μmCMOS／SOS器件的研究 | |
| 引用本文： | 张兴,石涌泉,路泉,黄敞.双固相外延技术及高性能1μmCMOS／SOS器件的研究[J].半导体学报,1995,16(11):857-861. |
| 作者姓名： | 张兴 石涌泉 路泉 黄敞 |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所，陕西微电子学研究所 |
| 摘 要： | 本文较为详细地介绍了能有效地改善ＳＯＳ材料结晶质量的双固相外延ＤＳＰＥ工艺，给出了优化的工艺条件．通过比较用ＤＳＰＥ及普通ＳＯＳ材料制作的ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和电路的特性可以看出，采用ＤＳＰＥ工艺能显著改善ＳＯＳ材料的表面结晶质量，应用ＤＳＰＥ工艺在硅层厚度为３５０ｎｍ的ＳＯＳ材料上成功地研制出了沟道长度为１μｍ的高性能ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和电路，其巾ＮＭＯＳＦＥＴ及ＰＭＯＳＦＥＴ的泄漏电流分别为２．５ｐＡ和１．５ｐＡ，１９级ＣＭＯＳ／ＳＯＳ环形振荡器的单级门延迟时间为３２０ｐｓ． |
| 关 键 词： | CMOS／SOS器件 双固相外延 NMOSFET |
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