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一种基于单电子晶体管的二阶低通滤波器
引用本文:陈学军,蔡理,孙铁暑.一种基于单电子晶体管的二阶低通滤波器[J].微电子学,2004,34(6):675-677,681.
作者姓名:陈学军  蔡理  孙铁暑
作者单位:1. 海军航空工程学院青岛分院,基础部,山东,青岛,266041
2. 空军工程大学,工程学院,陕西,西安,710038
基金项目:陕西省自然科学基金资助项目(2002F34),空军工程大学学术基金资助项目(2002X12)
摘    要:在研完单电子晶体管(SET)I-V特性的基础上,阐明了一种分区处理法,设计了一个SET积分器电路。并据此实现了一个SET二阶低通滤波器,说明了该滤波器的工作条件、结构、性能、参数和特点。仿真结果表明,该滤波器的传输特性与采用其它两种方法描述SET I-V特性所构成的滤波器的传输特性有良好的一致性。文中所提出的SET I-V特性分区处理法,同样适用于SET在其它功能电路中的应用。

关 键 词:单电子晶体管  I-V特性  积分器  低通滤波器  传输特性
文章编号:1004-3365(2004)06-0675-03

A Second-Order Low-Pass Filter Based on Single Electron Transistors
CHEN Xue-jun,CAI Li,SUN Tie-shu.A Second-Order Low-Pass Filter Based on Single Electron Transistors[J].Microelectronics,2004,34(6):675-677,681.
Authors:CHEN Xue-jun  CAI Li  SUN Tie-shu
Affiliation:CHEN Xue-jun~1,CAI Li~2,SUN Tie-shu~2
Abstract:Based on the investigation of the I-V characteristics of single electron transistors (SET), an SET integrator is designed, with which a second-order low-pass filter is realized. Also, operating conditions, configuration, performance, parameters and characteristics of the filter are dealt with. The simulation results show that the transmission performance of the filter corresponds to that of filters based on SET's whose I-V characteristics is described by two other methods. The zoned treatment method for SET I-V characteristics presented in the paper is also applicable for SET's in other functional circuits.
Keywords:Single electron transistor  I-V characteristics  Integrator  Low-pass filter  Transmission performance
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