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| 纳米晶粒Ag—TCNQ络合物薄膜的制备及电双稳特性 | |
| 引用本文： | 叶钢锋,严学俭,等.纳米晶粒Ag—TCNQ络合物薄膜的制备及电双稳特性[J].真空科学与技术,2001,21(2):91-94,98. |
| 作者姓名： | 叶钢锋 严学俭 |
| 作者单位： | 复旦大学材料学系，上海200433 |
| 摘 要： | 以物理气相沉积方法将TCNQ和Ag制备的金属有机络合物薄膜，在一定的工艺条件下可做到构成薄膜的晶粒直径为40nm左右，粗糙度也为纳米量级，同时在大气及室温条件下，在STM电场的作用下薄膜可从高阻态转换为低阻态作用点的直径为为70nm. |
| 关 键 词： | 金属－有机络合物 银 TCNQ 纳米晶粒 薄膜 电双稳特性 制备 物理气相沉积 |
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