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| 可调能隙的光电器件结构——(AlAs)_ (n_l)/(GaAs)_(m_l)渐变周期超晶格 | |
| 作者姓名： | 王恩哥 王鼎盛 |
| 作者单位： | 中国科学院国际材料物理中心 沈阳110015(王恩哥)，中国科学院物理所表面物理实验室 北京100080(王鼎盛) |
| 摘 要： | 本文提出了一种具有渐变周期的(AlAs)_(nl)/(GaAs)_(ml)(1=1,2,…)超晶格,并采用递归方法计算了这种渐变周期超晶格的电子结构.其特点是带隙E_g在空间随(n_(?),m_(?))渐变.例如,对(AlAs)_4/(GaAs)_4(AlAs)_4、/(GaAs)_5/(AlAs)_4/(GaAs)_6/(AlAs)_4/(GaAs)_7结构,带隙由短周期一端的1.93eV变到长周期一端的1.78eV.同时导、价带边得到不同的调制,因而提高了电子与空穴电离率比值,有可能应用到作光电探测材料. |
| 关 键 词： | 渐变周期超晶格 电子结构 可调带隙 |
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