| Cu(In,Ga)_3Se_5薄膜结构的Raman研究 |
| |
| 引用本文： | 徐传明,许小亮,徐军,杨晓杰,左健,党学明,冯叶,黄文浩,刘洪图.Cu(In,Ga)_3Se_5薄膜结构的Raman研究[J].半导体学报,2004,25(11):1423-1427. |
| |
| 作者姓名： | 徐传明 许小亮 徐军 杨晓杰 左健 党学明 冯叶 黄文浩 刘洪图 |
| |
| 作者单位： | 中国科学技术大学精密机械与精密仪器系，中国科学院中国科学技术大学结构分析重点实验室，中国科学技术大学物理系，中国科学技术大学物理系，中国科学院中国科学技术大学结构分析重点实验室，中国科学技术大学精密机械与精密仪器系，中国科学技术大学物理系，中国科学技术大学精密机械与精密仪器系，中国科学技术大学物理系 合肥230027，中国科学技术大学物理系，合肥230026，合肥230026，中国科学技术大学物理系，合肥230026，合肥230026，合肥230026，合肥230026，合肥230027，合肥230026，合肥230027，合肥230026 |
| |
| 摘 要： | 讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜的晶格振动模式的影响,室温下CuIn3Se5与Cu-Ga3Se5A1模式峰位分别位于153cm-1和164cm-1,Ga含量的增加引起晶格扭曲系数以及阴离子Se位移参数的增加,相应改变了Cu-Se以及In/Ga-Se的键长及其键拉伸力学常数,从而影响了A1模式峰位的移动
|
| 关 键 词： | Cu(In Ga)3Se5 有序缺陷化合物 晶格振动 Raman散射 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)11-1423-05 |
| 修稿时间： | 2003年10月15日 |
Effect of Structure on Raman Spectra in Cu(In,Ga)3Se5 Thin Films |
| |
| Xu Chuanming ,Xu Xiaoliang ,Xu Jun ,Yang Xiaojie ,Zuo Jian ,Dang Xueming ,Feng Ye ,Huang Wenhao and Liu Hongtu.Effect of Structure on Raman Spectra in Cu(In,Ga)3Se5 Thin Films[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(11):1423-1427. |
| |
| Authors: | Xu Chuanming Xu Xiaoliang Xu Jun Yang Xiaojie Zuo Jian Dang Xueming Feng Ye Huang Wenhao and Liu Hongtu |
| |
| Affiliation: | Xu Chuanming 1,3,Xu Xiaoliang 2,3,Xu Jun 3,Yang Xiaojie 3,Zuo Jian 2,Dang Xueming 1,Feng Ye 3,Huang Wenhao 1 and Liu Hongtu 3 |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Cu(In Ga) 3Se 5 ordered defect compounds lattice vibration Raman scattering |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
