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| 0.275μm nMOST's中陷阱辅助隧穿电流对漏端LDD区DCIV谱峰的影响 | |
| 引用本文： | 刘东明,杨国勇,王金延,许铭真,谭长华.0.275μm nMOST''s中陷阱辅助隧穿电流对漏端LDD区DCIV谱峰的影响[J].半导体学报,2003,24(2):122-126. |
| 作者姓名： | 刘东明 杨国勇 王金延 许铭真 谭长华 |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所,北京100871 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);G20000036503; |
| 摘 要： | 应用 direct- currentcurrent voltage(DCIV)和电荷泵 (change pum ping)技术研究了 L DD n MOST’s在热电子应力下产生的界面陷阱 .测试和分析的结果显示 ,一股额外的漏端电流影响了 DCIV谱峰中表征漏区的 D峰 .这股电流主要是陷阱辅助隧穿电流 . |
| 关 键 词： | direct-currentcurrentvoltage(DCIV) 热电子 可能性 陷阱辅助隧穿电流 电荷泵(CP) |
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