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| MBE生长InAs薄膜输运性质的研究 | |
| 引用本文： | 周宏伟,董建荣,王红梅,曾一平,朱占萍,潘量,孔梅影.MBE生长InAs薄膜输运性质的研究[J].半导体学报,1998,19(9):646-649. |
| 作者姓名： | 周宏伟 董建荣 王红梅 曾一平 朱占萍 潘量 孔梅影 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 在ＧａＡｓ衬底上ＭＢＥ生长大失配ＩｎＡｓ薄膜，虽然在界面处存在大量位错，但仍能在ＩｎＡｓ薄膜中得到较高的电子迁移率．掺Ｓｉ样品的迁移率比同厚度未掺杂的样品要高．且对未掺杂的ＩｎＡｓ薄膜，迁移率在室温附近有一个明显的极小值．这些反常行为可以通过体层和界面层电子的并联电导模型来解释． |
| 关 键 词： | MBE技术 砷化铟 半导体薄膜技术 |
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