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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
MBE生长InAs薄膜输运性质的研究
作者姓名:
周宏伟
董建荣
王红梅
曾一平
朱占萍
潘量
孔梅影
作者单位:
中国科学院半导体研究所
摘 要:
在GaAs衬底上MBE生长大失配InAs薄膜,虽然在界面处存在大量位错,但仍能在InAs薄膜中得到较高的电子迁移率.掺Si样品的迁移率比同厚度未掺杂的样品要高.且对未掺杂的InAs薄膜,迁移率在室温附近有一个明显的极小值.这些反常行为可以通过体层和界面层电子的并联电导模型来解释.
关 键 词:
MBE技术 砷化铟 半导体薄膜技术
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