| 高功率980nm锥形增益区脊形波导量子阱激光器的优化 |
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| 引用本文： | 李璟,马骁宇,刘媛媛.高功率980nm锥形增益区脊形波导量子阱激光器的优化[J].半导体学报,2007,28(5):645-650. |
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| 作者姓名： | 李璟 马骁宇 刘媛媛 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,光电子器件国家工程中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子器件国家工程中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,光电子器件国家工程中心,北京,100083 |
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| 基金项目： | Acknowledgment The authors gratefully acknowledge assistance by Yin Xiaodong in the beam quality measurements and analysis. |
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| 摘 要： | 利用MOCVD生长980nm InGaAs-AlGaAs渐变折射率分别限制异质结单量子阱激光器外延片,采用锥形增益区脊形波导结构制备器件.保持总腔长1850μm不变,改变脊形区的长度分别为450,700和950μm,对比三种情况的P-I特性和光束质量.发现LRW＝450μm时,器件特性参数和远场光束质量最优,斜率效率达0.83W/A,饱和功率为4.28W.输出功率为1W时,远场发散角为7.5°×30.6°,M2因子为3.79.
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| 关 键 词： | 锥形增益 脊形波导 980nm 光束质量因子 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)05-0645-06 |
| 修稿时间： | 11/7/2006 5:19:18 PM |
High-Power Ridge-Waveguide Tapered Diode Lasers at 980nm |
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| Li Jing,Ma Xiaoyu and Liu Yuanyuan.High-Power Ridge-Waveguide Tapered Diode Lasers at 980nm[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(5):645-650. |
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| Authors: | Li Jing Ma Xiaoyu and Liu Yuanyuan |
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| Affiliation: | National Engineering Research Center for Opto-Electronic Devices,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;National Engineering Research Center for Opto-Electronic Devices,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;National Engineering Research Center for Opto-Electronic Devices,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | tapered ridge-waveguide 980nm beam propagation factor |
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