| HgCdTe红外探测器CdTe钝化蒸发生长改进 |
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| 引用本文： | 徐竟杰,陈兴国,周松敏,魏彦锋,林春,杨建荣. HgCdTe红外探测器CdTe钝化蒸发生长改进[J]. 激光与红外, 2012, 42(11): 1263-1267 |
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| 作者姓名： | 徐竟杰 陈兴国 周松敏 魏彦锋 林春 杨建荣 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所,红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院研究生院,北京100039
2. 中国科学院上海技术物理研究所,红外成像材料与器件重点实验室,上海200083 |
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| 摘 要： | 在液相外延生长(LPE)的碲镉汞(HgCdTe)外延薄膜(111)方向上蒸发生长碲化镉(CdTe)钝化层。在70～250℃范围内的各个不同的温度环境下进行碲化镉钝化膜的蒸发生长。根据需要,对各样本进行150～300℃各个温度下的后期退火处理。运用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、二次离子质谱(SIMS)、X射线衍射(XRD)观测技术表征碲化镉钝化膜的形貌结构、成分分布、晶体质量。结果表明,加热环境下蒸发生长碲化镉钝化膜可以消除常规蒸发生长中的柱状多晶结构,显著提高钝化品质;后期的退火处理还能进一步提高钝化膜质量。
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| 关 键 词： | 碲化镉 碲镉汞 钝化 扫描电镜 透射电镜 二次离子质谱 X射线衍射 |
Advanced CdTe passivation layer deposited by evaporation on HgCdTe infrared detectors |
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| XU Jing-jie,CHEN Xing-guo,ZHOU Song-min,WEI Yan-feng,LIN Chun,YANG Jian-rong. Advanced CdTe passivation layer deposited by evaporation on HgCdTe infrared detectors[J]. Laser & Infrared, 2012, 42(11): 1263-1267 |
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| Authors: | XU Jing-jie CHEN Xing-guo ZHOU Song-min WEI Yan-feng LIN Chun YANG Jian-rong |
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| Affiliation: | Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Science,Shanghai 200083,China;Graduate University of Chinese Academy of Science,Beijing 100039,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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