首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

SIMS溅射深度剖析的定量分析
引用本文:康红利,劳珏斌,刘毅,王江涌.SIMS溅射深度剖析的定量分析[J].真空,2015,52(2).
作者姓名:康红利  劳珏斌  刘毅  王江涌
作者单位:汕头大学物理系,广东汕头,515063
摘    要:本文综述了二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectroscopy,SIMS)溅射深度剖析的发展历史,介绍了SIMS溅射深度剖析的定量分析方法。对两个最常用于SIMS溅射深度剖析定量分析的理论模型——Hofmann提出的MRI(Mixing-Roughness-Information depth)模型和Dowsett等人提出的响应函数进行了对比分析。

关 键 词:SIMS  溅射深度剖析  深度分辨率函数  MRI模型  响应函数

Quantification of SIMS sputtering depth profiling
KANG Hong-li,LAO Jue-bin,LIU Yi,WANG Jiang-yong.Quantification of SIMS sputtering depth profiling[J].Vacuum,2015,52(2).
Authors:KANG Hong-li  LAO Jue-bin  LIU Yi  WANG Jiang-yong
Abstract:
Keywords:SIMS  sputter depth profiling  depth resolution function  MRI model  response function
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号