用分子束外延法制作的GaAs MESFET |
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引用本文: | H.Morkoc,卫民.用分子束外延法制作的GaAs MESFET[J].微纳电子技术,1982(5). |
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作者姓名: | H.Morkoc 卫民 |
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摘 要: | 本文报导了在分子束外延(MBE)生长的沟道层上制作的“T”形Ti/W/Au栅GaAs肖特基势垒场效应晶体管的噪声性能。标称栅长约为0.7μm,总栅宽250μm。典型噪声系数和相应增益在4GHz下分别为1.2dB和14dB;在12GHz下分别为1.9dB和8.5dB。据我们所知,这些值是关于用MBE生长的GaAs制作的器件迄今所报导的最好结果。这些初步结果表明MBE用于高质量的GaAsFET是很有希望的。
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