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内燃结构氢氧合成氧化不均匀的原因及对策
作者姓名:张霞 张大成
作者单位:北京广播学院物理教研室,北京大学微电子学研究所
摘    要:从流体力学和传热学的角度,分析了在口径氧化炉中,采用内燃结构进行了氢氧合成氧化,造成硅片氧化层厚度不均匀的原因。并根据流体力学和传热学的原理,提出了解决这一问题的方法-设计了扰了流隔热装置。

关 键 词:氢氧合成 氧化 氧化层 均匀度 硅 VLSI
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