| 射频磁控溅射纳米SiC薄膜及其拉曼和红外分析 |
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| 引用本文： | 陈长青,毛旭,周祯来,陈刚,刘焕林,杨宇.射频磁控溅射纳米SiC薄膜及其拉曼和红外分析[J].功能材料,2004,35(Z1):1232-1235. |
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| 作者姓名： | 陈长青 毛旭 周祯来 陈刚 刘焕林 杨宇 |
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| 作者单位： | 陈长青（云南大学,化学与材料工程学院,云南,昆明,650091）;毛旭（云南大学,化学与材料工程学院,云南,昆明,650091;北京信息工程学院,传感技术研究中心,北京,100101）;周祯来（云南大学,化学与材料工程学院,云南,昆明,650091）;陈刚（云南大学,化学与材料工程学院,云南,昆明,650091）;刘焕林（云南大学,化学与材料工程学院,云南,昆明,650091）;杨宇（云南大学,化学与材料工程学院,云南,昆明,650091） |
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| 基金项目： | 云南自然科学基金资助项目(k1010265) |
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| 摘 要： | 用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出一系列衬底温度不同的纳米碳化硅薄膜,衬底温度分别为室温,200、400、600、700℃,并对样品进行了Raman和傅立叶红外测试分析.结果表明,随衬底温度的升高,薄膜结晶度提高,其晶粒尺寸为纳米数量级.通过FTIR不仅观察到SiC的TO声子在红外被激活,而且LO声子在粒径很小或薄膜很薄时也能在红外被激活,体现了纳米SiC较强的红外吸收特性.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 纳米碳化硅 红外吸收 拉曼吸收 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-1232-04 |
| 修稿时间： | 2004年5月3日 |
Raman and FTIR studies of SiC films prepared by RF magnetron sputtering method |
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