| 偏栅Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT的二维模拟与特性分析 |
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| 引用本文： | 薛丽君,刘明,王燕,祃龙,鲁净,谢常青,夏洋. 偏栅Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT的二维模拟与特性分析[J]. 固体电子学研究与进展, 2007, 27(2): 181-185 |
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| 作者姓名： | 薛丽君 刘明 王燕 祃龙 鲁净 谢常青 夏洋 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室,北京,100029
2. 清华大学微电子研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用泊松方程-薛定谔方程-流体力学方程组自洽求解的方法,对偏栅AlGaN/GaN HEMT器件的电学特性进行了二维模拟。通过与传统正栅器件的模拟结果对比分析,可以看出,偏栅结构除了可以提高器件的击穿电压外,还可以提高直流输出电流和跨导,对输出特性和转移特性均有一定的提高。
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| 关 键 词： | 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管 泊松方程 薛定谔方程 流体力学方程 二维模拟 偏栅 |
| 文章编号： | 1000-3819(2007)02-181-05 |
| 修稿时间： | 2005-09-16 |
2D Simulation and Analysis of Offset Gate AlxGa1-xN/GaN HEMT |
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| XUE Lijun,LIU Ming,WANG Yan,MA Long,LU Jing,XIE Changqing,XIA Yang. 2D Simulation and Analysis of Offset Gate AlxGa1-xN/GaN HEMT[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2007, 27(2): 181-185 |
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| Authors: | XUE Lijun LIU Ming WANG Yan MA Long LU Jing XIE Changqing XIA Yang |
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| Abstract: | In this paper,a two-dimensional offset gate AlGaN/GaN HEMT is simulated by self-consistently solving the Poisson-Schrodinger-Hydrodynamics(HD) equations.Compared with conventional middle gate device with the same material structure,the numerical results show that the offset gate device manifest itself high DC saturation current and the transconductance besides the improved breakdown voltage.It is concluded that this device structure has favorable influence on the output and transfer characteristics. |
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| Keywords: | AlGaN/GaN HEMT Poisson Schrodinger Hydrodynamic equations(HD) 2D simulation offset gate |
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