| 飞秒激光沉积β-FeSi2/Si半导体膜及光学性能研究 |
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| 引用本文： | 周幼华,陆培祥,杨光,杨义发,郑启光.飞秒激光沉积β-FeSi2/Si半导体膜及光学性能研究[J].无机材料学报,2007,22(3):545-549. |
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| 作者姓名： | 周幼华 陆培祥 杨光 杨义发 郑启光 |
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| 作者单位： | 1. 华中科技大学,激光技术国家重点实验室,武汉,430074;江汉大学,物理与信息工程学院,武汉,430056
2. 华中科技大学,激光技术国家重点实验室,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 高等学校博士学科点专项科研项目;湖北省武汉市青年科技晨光计划 |
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| 摘 要： | 采用飞秒脉冲激光沉积法在Si（100）和Si（111）单晶基片上制备了均匀的单相β-FeSi2薄膜;用X射线衍射（XRD）,场扫描电镜（FESEM）,能谱仪（EDX）,傅立叶红外拉曼谱仪（FTRIS）研究了薄膜的结构、组分、表面形貌和光学性能.观察到了β-FeSi2在Si单晶基片上的生长与晶面取向有关的证据,并在室温（20℃）下观测到β-FeSi2薄膜的光致发光,其发光波长为1.53μm;在氩离子514nm激光的激发下,在192.0和243.9cm-1等位置观察到β-FeSi2的拉曼散射峰.
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| 关 键 词： | β-FeSi2 飞秒 脉冲激光沉积法(PLD) 光致发光 |
| 文章编号： | 1000-324X（2007）03-0545-05 |
| 收稿时间： | 2006-6-20 |
| 修稿时间： | 2006-06-202006-09-06 |
β-FeSi2 Thin Film Prepared by Femtosecond Laser Ablation and Its Optical Characteristic |
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| ZHOU You-Hua,LU Pei-Xiang,YANG Guang,YANG Yi-Fa,ZHENG Qi-Guang.β-FeSi2 Thin Film Prepared by Femtosecond Laser Ablation and Its Optical Characteristic[J].Journal of Inorganic Materials,2007,22(3):545-549. |
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| Authors: | ZHOU You-Hua LU Pei-Xiang YANG Guang YANG Yi-Fa ZHENG Qi-Guang |
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| Affiliation: | 1.StateKeyLaboratoryofLaserTechnology,HuazhongUniversityofScienceandTechnology,Wuhan430074,China;2.Physics&InformationSchoolofJianghanUniversity,Wuhan430056,China |
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| Abstract: | |
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