| 外磁场中单壁碳纳米管π电子能隙的理论计算 |
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| 引用本文： | 郭连权,张平,冷利,马贺,李大业.外磁场中单壁碳纳米管π电子能隙的理论计算[J].沈阳工业大学学报,2013,35(4):390-394. |
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| 作者姓名： | 郭连权 张平 冷利 马贺 李大业 |
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| 作者单位： | 沈阳工业大学 a 理学院， b 基础教育学院， 沈阳 110023 |
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| 基金项目： | 辽宁省教育厅基金资助项目(LR201030) |
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| 摘 要： | 为了得到单壁碳纳米管在外磁场作用下的电子结构规律,从紧束缚模型出发,利用量子理论和固体理论计算了在外磁场作用下单壁碳纳米管(SWNTs)中π电子的能带表达式.在此基础上,利用SWNTs的周期性边界条件和晶体中的布洛赫定理,得到了扶手椅型SWNTs中π电子的能带表达式,进而推导了外磁场作用下能隙宽度的表达式,从而得知能隙是磁通量Φ的周期函数.由金属型SWNTs的判据|m-n|=3J(J=0,1,2,3,…)可知,扶手椅型SWNTs(m=n)均为金属型,但由于其在外磁场的作用下可能产生能隙,由此证明了扶手椅型SWNTs可以由金属型转变为半导体型的规律.
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| 关 键 词： | 磁场 单壁碳纳米管 紧束缚模型 π电子 能带 能隙 金属型 半导体型 |
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