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| X和Ku波段GaAs肖特基势垒场效应晶体管 | |
| 引用本文： | W.贝其托德，W.瓦尔特，P.沃耳夫，梁春广.X和Ku波段GaAs肖特基势垒场效应晶体管[J].微纳电子技术,1972(3). |
| 作者姓名： | W.贝其托德，W.瓦尔特，P.沃耳夫，梁春广 |
| 作者单位： | IBM苏黎世研究实验室(W.贝其托德，W.瓦尔特，P.沃耳夫) |
| 摘 要： | 已作出1微米栅的 GaAs 肖特基势垒场效应晶体管(MESFET)。它适于 X 和 Ku 波段应用。整个 X 波段的单向功率增益超过9分贝,10千兆赫下噪声系数仅5分贝。 |
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