| 硼离子掺杂类金刚石薄膜及C（B）n—Si异质结光伏特性 |
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| 引用本文： | 周之斌 崔容强. 硼离子掺杂类金刚石薄膜及C（B）n—Si异质结光伏特性[J]. 太阳能学报, 1996, 17(2): 197-200 |
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| 作者姓名： | 周之斌 崔容强 |
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| 作者单位： | 安徽师范大学物理系，西安交通大学 |
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| 摘 要： | 采用直流弧光放电等离子ＰＣＶＤ法，沉积获得硼掺杂类金刚石薄膜，该材料ｐ型半导体，电阻率５－１０Ωｃｍ。俄歇电子能谱测试表明，硼离子含量为０．８％，由扫描电镜和激光喇曼谱分析可知，薄膜以非晶为主，观察到许多线径为０．５－１．０μｍ的金刚石结晶微粒。
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| 关 键 词： | 类金刚石薄膜 异质结 光伏特性 |
DIAMOND-LIKE CARBON FILMS DOPED WITH B IONS AND PHOTOVOLTAIC PROPERTY OF C(B)/n-Si HETEROJUNCTION |
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| Zhou Zhibin Du Xianzhi Zhang Yazeng Yang Feng. DIAMOND-LIKE CARBON FILMS DOPED WITH B IONS AND PHOTOVOLTAIC PROPERTY OF C(B)/n-Si HETEROJUNCTION[J]. Acta Energiae Solaris Sinica, 1996, 17(2): 197-200 |
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| Authors: | Zhou Zhibin Du Xianzhi Zhang Yazeng Yang Feng |
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| Abstract: | |
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