| 超高真空条件下NEAⅢ-Ⅴ族半导体光电阴极的工艺与性能的研究 |
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| 引用本文： | 王力鸣,张小秋,李晋闽,侯洵.超高真空条件下NEAⅢ-Ⅴ族半导体光电阴极的工艺与性能的研究[J].真空科学与技术学报,1992(5). |
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| 作者姓名： | 王力鸣 张小秋 李晋闽 侯洵 |
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| 作者单位： | 中国科学院西安光学精密机械研究所，中国科学院西安光学精密机械研究所，中国科学院西安光学精密机械研究所，中国科学院西安光学精密机械研究所 陕西西安 710068，陕西西安 710068，陕西西安 710068，陕西西安 710068 |
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| 摘 要： | 介绍对GaAs及1.25μm InGaAsPⅢ-Ⅴ族半导体光电阴极的激活工艺及其性能的初步研究结果。全部采用国产超高真空系统,真空度优于8×10~(-8)Pa。在真空系统中激活的GaAs(Cs,O)光电阴极的积分灵敏度约为550μA/lm,InGaAsP(Cs,O)光电阴极在1.06μm处的量子效率为0.4%。用2.06μm波长(禁带宽度E_(?)=1.25μm)、ns量级脉宽的Er,Tm,Ho:YLF激光作激发源在GaAs(Cs,O)光电阴极中实现了三光子光电发射。在液氮温度下测得的数据与室温下测得的数据相吻合,证明热发射相对于三光子光电发射可以忽略。
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| 关 键 词： | 超高真空系统 GaAs(Cs O)光电阴极 1.25μm InGaAsP(Cs O)光电阴极 三光子光电发射 |
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