水平磁场对熔体热对流抑制作用的理论分析 |
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引用本文: | 孙茂友,万群.水平磁场对熔体热对流抑制作用的理论分析[J].稀有金属,1991,15(1):61-64. |
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作者姓名: | 孙茂友 万群 |
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作者单位: | 北京有色金属研究总院
(孙茂友,万群),北京有色金属研究总院(秦福) |
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摘 要: | 在直拉硅单晶生长过程中,熔体热对流对单晶质量有很大影响。一方面,热对流引起的温度波动可引起生长速率的变化,因晶体回熔而引入微缺陷,降低单晶的均匀性;另一方面,热对流将直接影响单晶中的间隙氧含量,并进一步影响到随后的氧沉淀形成。因此,在单晶生长过程中如何控制或抑制熔体的热对流越来越受到重视。
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关 键 词: | 磁场 硅熔体 热对流 抑制作用 |
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