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| 1Gb DRAM | |
| 作者姓名： | 一凡 |
| 摘 要： | 日本NEC公司已采用氧化担薄膜的电容单元制成在1GbDRAM用的电容绝缘膜，其绝缘性能比硅氧化膜高好几倍，而目标是使用于1GbDRAM的氧化钽达到实用化水平。在下电极上采用半球状（SHG）的多晶硅，中间夹有钨，氧化钽的厚度用氧化膜来换算为1．6um，达到薄膜化，控制电极高度，容量可比以前增加2．6倍。所开发的氧化担的电容单元，下电极与以前一样为多晶硅，为了增加面积，已制成（SHG）结构。在其结构上面直接形成氧化担，要使本身的氧化膜变厚，把钨做在下电极的最上面，然后用化学汽相生长法淀积氧化担。上电极采用氯化钮。把氧化… |
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