| 紫外纳米压印技术的图形转移层工艺研究 |
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| 引用本文： | 朱兆颖,乌建中,顾长庚,刘彦伯.紫外纳米压印技术的图形转移层工艺研究[J].微纳电子技术,2006,43(10):492-495. |
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| 作者姓名： | 朱兆颖 乌建中 顾长庚 刘彦伯 |
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| 作者单位： | 1. 同济大学,机械工程学院,上海,200092
2. 上海科技生产力促进中心,上海,200092 |
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| 基金项目： | 上海市纳米科技专项基金 |
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| 摘 要： | 研究了紫外纳米压印技术的图形转移层工艺,通过改变膜厚进行压印对比实验,将转速控制在3000～4000r/min,成功地得到了50nm光栅结构的高保真图形,复型精度可以达到93.75%。同时阐明,纳米压印技术由于具有超高分辨率、低成本、高产量等显著特点,将成为下一代光刻技术(NGL)的主要候选者之一。
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| 关 键 词： | 紫外纳米压印技术 图形转移层工艺 光刻 |
| 文章编号： | 1671-4776(2006)10-0492-04 |
| 收稿时间： | 2006-06-30 |
| 修稿时间： | 2006年6月30日 |
Research of Transfer Layer Process Based on UV-NIL |
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| ZHU Zhao-ying,WU Jian-zhong,GU Chang-geng,LIU Yan-bo.Research of Transfer Layer Process Based on UV-NIL[J].Micronanoelectronic Technology,2006,43(10):492-495. |
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| Authors: | ZHU Zhao-ying WU Jian-zhong GU Chang-geng LIU Yan-bo |
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| Affiliation: | 1.College of Mechanical Engineering, Tongji University, Shanghai 200092, China; 2.Shanghai Technology Promotion Center (STPC |
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| Abstract: | The transfer layer process based on UV-NIL was presented.Through changing the transfer layer thickness,the spin speed was controlled in 3000～4000 r/min,high quality 50 nm grating nanostructure was obtained,the duplicate precision is 93.75%.Nanoimprint lithography has the advantages of sub-10nm resolution,low cost and high-throughput,is one of the most promising technologies of next generation lithography(NGL)for nanostructure patterning. |
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| Keywords: | UV-NIL transfer layer lithography |
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