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PLD法制备氧化锌薄膜生长机制及发光特性的研究
引用本文:谢可可,仇旭升,孔明光,刘炳龙,汪壮兵,于永强,章伟,梁齐.PLD法制备氧化锌薄膜生长机制及发光特性的研究[J].材料导报,2008,22(Z1).
作者姓名:谢可可  仇旭升  孔明光  刘炳龙  汪壮兵  于永强  章伟  梁齐
基金项目:教育部留学归国人员实验室建设项目(新型微电子薄膜研究室)
摘    要:利用PLD法在Si衬底上成功地制备了具有较好C轴择优取向生长的ZnO薄膜,从样品的XRD谱可以看出在环境氧压为20Pa,衬底温度为700℃时生长的样品的XPD谱(002)峰半高宽较窄,膜的结晶程度最好.不同的衬底温度下膜的生长机制也不一样,主要有:V-L-S机制和V-S机制.样品室温下的PL谱显示所有样品均出现UV发射和可见光区蓝绿光发射,而蓝绿光发射强度随氧压的增大而增强,表明样品的蓝绿光发射来源于样品中的受主缺陷.

关 键 词:ZnO薄膜  PL谱

Growth Mechanisms and Photoluminescent Properties of ZnO Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition
XIE Keke,QIU Xusheng,KONG Mingguang,LIU Binglong,WANG Zhuangbing,YU Yongqiang,ZHANG Wei,LIANG Qi.Growth Mechanisms and Photoluminescent Properties of ZnO Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition[J].Materials Review,2008,22(Z1).
Authors:XIE Keke  QIU Xusheng  KONG Mingguang  LIU Binglong  WANG Zhuangbing  YU Yongqiang  ZHANG Wei  LIANG Qi
Abstract:
Keywords:PLD  XRD
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