| 激光分子束外延法制备AlN/Si异质结的电学性质 |
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| 引用本文： | 方应龙,贾彩虹,陈秀文,张伟风.激光分子束外延法制备AlN/Si异质结的电学性质[J].压电与声光,2016,38(6):1043-1046. |
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| 作者姓名： | 方应龙 贾彩虹 陈秀文 张伟风 |
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| 作者单位： | (河南大学 物理与电子学院 光伏材料省重点实验室，河南 开封 475004) |
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| 基金项目： | 河南省高校科技创新人才支持计划基金资助项目(Grant no. 2012 IRTSTHN004)；中国国家自然科学基金资助项目(51202057,61350012) |
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| 摘 要： | 采用激光分子束外延法在Si(111)衬底上制备出沿c轴取向的AlN薄膜，在此基础上制备了Au/AlN/Si 金属 绝缘体 半导体(MIS)结构。研究了结构的电流传输机制、AlN/Si界面处的界面态密度值及分布情况。结果表明：AlN/Si异质结具有很好的整流特性，电流传输符合空间电荷限制传输机制，理想因子为2.88；结构的界面态密度约为1.1×1012 eV-1·cm-2，主要分布在距离Si衬底价带顶0.26 eV附近，由生长过程中引入的O杂质、N空位/N替代和Si原子代替N原子形成的Al-Si键组成。
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| 关 键 词： | AlN/Si(111) 异质结 激光分子束外延 空间电荷限制电流 电导法 界面态密度 |
Electrical Properties of AlN/Si Heterostructure Prepared by Laser MBE |
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| FANG Yinglong,JIA Caihong,CHEN Xiuwen and ZHANG Weifeng.Electrical Properties of AlN/Si Heterostructure Prepared by Laser MBE[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2016,38(6):1043-1046. |
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| Authors: | FANG Yinglong JIA Caihong CHEN Xiuwen and ZHANG Weifeng |
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| Affiliation: | (Key Lab. of Photovoltaic Materials of Henan Province and School of Physics & Electronics,Henan University,Kaifeng 475004 China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlN/Si(111) heterojunctions laser molecular beam epitaxy space charge limited current (SCLC) conductance method interface state density |
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