| 基于斜台面工艺的背照式GaN雪崩探测器制备 |
| |
| 引用本文： | 叶嗣荣,周勋,李艳炯,申志辉.基于斜台面工艺的背照式GaN雪崩探测器制备[J].半导体光电,2016,37(1):175-177,196. |
| |
| 作者姓名： | 叶嗣荣 周勋 李艳炯 申志辉 |
| |
| 作者单位： | 1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室； 2.中国科学院大学；;1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室；;1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室；;1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室； 2.中国科学院大学；;1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室；;1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室；;1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室；;1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室； |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目(61234004,61204055,61434005,61176045) |
| |
| 摘 要： | 为了获得高功率高光束质量激光输出,设计并制备了一种780nm波段5发光单元列阵器件,其采用10μm宽窄条形波导,各发光单元中心间距为100μm,填充因子仅为10%。在准连续注入电流由1.2A增加到2.5A条件下,该器件的输出光束侧向光学参量积由0.666mm·mrad增加至0.782mm·mrad。注入电流为2.5A时,该器件实现了单边准连续506mW的高光束质量激光输出。 更多还原
|
| 关 键 词： | 半导体激光器列阵 低填充因子 侧向光学参量积 |
| 收稿时间： | 1/6/2016 12:00:00 AM |
Preparation of Back-illuminated Beveled Mesa GaN Avalanche Photodiodes |
| |
| Abstract: | In this work, the preparation of back-illuminated beveled mesa GaN UV avalanche photodiodes was studied. Based on the research of beveled mesa fabrication technology, high quality beveled mesa was achieved through optimizing the main device processes. I-V characteristic test results prove that beveled mesa can suppress the surface pre-breakdown effectively, furthermore, GaN avalanche photodiodes with low dark current and high internal gain are attained successfully. |
| |
| Keywords: | avalanche photodiodes back-illuminated beveled mesa |
|
| 点击此处可从《半导体光电》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体光电》下载全文 |
|
