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| 半导体GaN/MgAl2O4中缓冲层的透射电子显微分析 | |
| 引用本文： | 韩培德,杨海峰,张泽,段树坤,滕学公.半导体GaN/MgAl2O4中缓冲层的透射电子显微分析[J].半导体学报,1998,19(10):736-739. |
| 作者姓名： | 韩培德 杨海峰 张泽 段树坤 滕学公 |
| 作者单位： | 中国科学院凝聚态物理中心，北京电子显微镜实验室，中国科学院半导体研究所，光电集成国家重点实验室 |
| 摘 要： | 运用透射电子显微镜（ＴＥＭ）和高分辨透射电子显微镜（ＨＲＥＭ）对金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）的（０００１）ＧａＮ／（１１１）ＭｇＡｌ２Ｏ４异质结构中的缓冲层进行了观察和分析，发现在该衬底上最初的低温沉积是一厚度为５ｎｍ的六方相岛状界面薄层 |
| 关 键 词： | 外延生长 氮化镓 缓冲层 透射电子显微镜 |
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