首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
全部学科
医药、卫生
生物科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
农业科学
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
历史、地理
语言、文字
文学
艺术
文化、科学、教育、体育
马列毛邓
全部专业
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目中文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
半导体GaN/MgAl2O4中缓冲层的透射电子显微分析
作者姓名:
韩培德
杨海峰
张泽
段树坤
滕学公
作者单位:
中国科学院凝聚态物理中心,北京电子显微镜实验室,中国科学院半导体研究所,光电集成国家重点实验室
摘 要:
运用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HREM)对金属有机化学气相沉积(MOCVD)的(0001)GaN/(111)MgAl2O4异质结构中的缓冲层进行了观察和分析,发现在该衬底上最初的低温沉积是一厚度为5nm的六方相岛状界面薄层
关 键 词:
外延生长 氮化镓 缓冲层 透射电子显微镜
本文献已被
CNKI
维普
等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号