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| 生长化合物材料的MBE设备 | |
| 摘 要： | 南京电子器件研究所于１９９５年引进美国ＥＰＩ公司生产的ＭｏｄｕｌａｒＧｅｎⅡ型ＭＢＥ设备，封面展示了这一设备，该设备具有７５ｍｍ和５０ｍｍ的生产能力，所研制的ＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓ和ＩｎＡｌＡｓ材料具有良好的电特性，利用这些材料研制的ＨＦＥＴ，ＨＥＭＴ和ＰＨＥＭＴ等器件具有良好性能。生长化合物材料的MBE设备 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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