| Flash memory中的叠栅腐蚀工艺 |
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| 引用本文： | 莫科伟,肖军,韩隽.Flash memory中的叠栅腐蚀工艺[J].电子与封装,2002,2(5):11-14. |
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| 作者姓名： | 莫科伟 肖军 韩隽 |
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| 作者单位： | 无锡微电子科研中心二室,江苏,无锡,214035 |
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| 摘 要： | 本文主要介绍了 Intel 式 Flash memory 单元结构的叠栅自对准腐蚀工艺和有关的叠栅腐蚀原理,分析了 Flash 叠栅自对准腐蚀对 Flash 性能的重要性。
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| 关 键 词： | Flash Memory 腐蚀工艺 叠栅 |
| 修稿时间： | 2002年8月20日 |
Poly Stack Etch of Flash Memory |
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| Mo Ke-wei XLAO Jun HAN Juan.Poly Stack Etch of Flash Memory[J].Electronics & Packaging,2002,2(5):11-14. |
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| Authors: | Mo Ke-wei XLAO Jun HAN Juan |
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| Abstract: | this article mostly introduces the self-line stack gate etching technique of Flash memory like Intel' s cell and relational etch theory,analyses the importance of etching for flash cell performance. |
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| Keywords: | Flash Memory Etching Process Stack gate |
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